飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供  300 W CW的全额定输出功率。

当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1:1的VSWR，生成的全部额定功率都通过传输线到达负载，没有任何额定功率反射回放大器。大部分应用的VSWR水平很少超过2.5:1，而大部分RF功率管无论其采取什么技术，都可以处理5:1或10:1的VSWR。

但是，RF功率放大器用来点燃CO₂ 激光器和离子发生器或在MRI系统里生成电磁场，都会短暂出现生成的额定功率几乎全部被反射回放大器的情况。这些异常情况给大部分RF功率管带来了难题。

飞思卡尔新推出的MRFE6VP6300H产品主要针对这类应用，能够将300W满CW输出功率生成高达 65:1的VSWR。它是这个性能级别里唯一商用的50 V LDMOS晶体管产品。

MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置，并放置在紧凑型NI780 - 4陶瓷封装中。频率为130兆赫时，该设备生成300W的CW输出功率，增益为25分贝，效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电（ESD）保护技术，这不仅使它成为第三类功率器件，还支持大的栅源电压范围（-6V至+10 V），因而在高效模式（如C类）下运行时能提高性能。

定价和供货情况

MRFE6VP6300H现已推出样品，计划将于2010年第四季度全面投产。它的参考设计及其他支持工具现已上市。如需了解样品和定价信息，请与飞思卡尔半导体、飞思卡尔本地销售办事处或授权分销商联系。