采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片，具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。

加利福尼亚州托伦斯2024年10月14日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™，其凭借最高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步简化和加速尺寸紧凑、高功率密度的应用开发。

作为全新的氮化镓功率芯片，GaNSlim采用纳微专利的DPAK-4L封装，具有高散热性能，通过集成驱动、控制和保护，以及内置的智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，使得系统设计变得最为简单、设计进展更快速和产品尺寸更小巧。此外，由于具备低于10µA的超低启动电流和超低待机电流，GaNSlim可与SOT23-6控制器兼容，无需高压启动功能，就能满足待机功耗要求。

集成的无损电流检测功能可以省去外部电流检测电阻，优化了系统的效率和可靠性。过温保护功能确保了系统的鲁棒性，自动睡眠模式提高了轻载和无负载时的效率。智能化开关斜率控制最大程度地提高了效率和功率密度，同时减少了外部元件的数量、系统成本和优化了EMI性能。

GaNSlim采用了DPAK-4L封装，该封装为纳微专利，具有高散热性能、小外观尺寸、低寄生电感。与其他传统的QFN封装相比，工作温度低7°C以上，可支持高达500W的高功率密度设计。目标应用市场包括手机和笔记本电脑的充电器、电视电源、固态照明电源等领域。

纳微半导体

高级技术营销经理

詹仁雄

“纳微的氮化镓功率芯片专注于以更高的集成度实现高效率、高性能的功率变换，打造最简单的系统设计，尽可能缩短客户产品从设计到市场的时间。

纳微最新的GaNSlim系列产品，基于高度集成、简单易用和成本优化的理念打造而来，将持续助力纳微开辟更多的客户渠道，目前采用GaNSlim设计的在研项目已有超50个。同时，由于GaNSlim方案相比传统硅具有更好的系统成本优势，正在500W以下的手机和笔电充电器、消费电子和家用电器多个市场得到广泛应用。”

GaNSlim家族NV614x系列产品，额定DC耐压为700V，导通阻抗（RDS(ON)）从120mΩ到330mΩ，并分别针对隔离型和非隔离型电源拓扑作了相应的性能优化，可提供丰富的产品类型。

与纳微半导体其他氮化镓功率芯片一致，GaNSlim也同样承诺20年有限质保。此外，纳微还准备了多种基于GaNSlim的demo板，QR反激、单极PFC、PFC+QR反激以及电视电源，帮助客户快速的评估GaNSlim的性能，加快产品设计。